IGBT，是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型電(diàn)压驱动式功率半导體(tǐ)器件。

IGBT驱动功率小(xiǎo)而饱和压降低，是能(néng)源变换与传输的核心器件，俗称電(diàn)力電(diàn)子装置的“CPU”，在轨道交通、智能(néng)電(diàn)网、航空航天、電(diàn)动汽車(chē)与新(xīn)能(néng)源装备等领域应用(yòng)极广。

IGBT模块的应用(yòng)决定了其不仅要有(yǒu)极高的可(kě)靠性，且要有(yǒu)较長(cháng)的使用(yòng)寿命。

IGBT在实现電(diàn)流切换的过程中，会产生较大的功率损耗，因此“散热”是影响其可(kě)靠性的重要因素。而芯片焊接处和基片焊接处等位置，是IGBT主要的热量传输通道，焊接处的焊接质量影响了IGBT的可(kě)靠性和寿命。

研究表明，焊料层内出现空洞时，芯片结温随之增加，且芯片结温与焊料层空洞率几乎成正比。从而影响热循环，造成局部温度过高，降低模块使用(yòng)寿命。器件的工作温度每升高10℃，其失效率将增大一倍左右。

因此，IBGT封装，最重要的是降低焊料层的空洞率。

中实研发IGBT预成型焊片

國(guó)内首创

> IGBT 八元合金焊片

产品特点：

-满足新(xīn)能(néng)源汽車(chē)高可(kě)靠性、超長(cháng)寿命需求

-更長(cháng)的产品生命周期性

> IGBT 加强型等高焊片

产品特点：

- 高强度

- 应力分(fēn)布均匀

- 焊接层均匀、焊接高度可(kě)控

- 低空洞率

空洞率对比

实验数据

以下為(wèi)对比实验数据，可(kě)以看到中实IGBT预成型焊片，有(yǒu)效降低了焊接空洞率，且产品稳定性表现更佳。

目前，中实IGBT预成型焊片已稳定供货于各大半导體(tǐ)企业、新(xīn)能(néng)源汽車(chē)企业等。

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